電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程--試驗(yàn)Kb:交變鹽霧試驗(yàn)方法

電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程--試驗(yàn)Kb:交變鹽霧試驗(yàn)方法（氯化鈉溶液）  GB 2423.18—85

一、引言 

　　本標(biāo)準(zhǔn)適用于確定元器件和設(shè)備在含鹽的潮濕環(huán)境下使用或貯存的適應(yīng)性。本標(biāo)準(zhǔn)可以用作腐蝕試驗(yàn)，也可以檢驗(yàn)非金屬材料受鹽霧影響而造成的劣化，還可用于考核元器件和設(shè)備在鹽霧環(huán)境下的性能變化。

　　鹽分對(duì)金屬材料的腐蝕是屬于電化學(xué)性的，而對(duì)非金屬材料的損壞卻是由鹽分與該材料之間復(fù)雜的化學(xué)反應(yīng)所引起的。腐蝕損壞速率在很大程度上取決于試驗(yàn)樣品表面的含氧鹽溶液和試驗(yàn)樣品的溫度以及環(huán)境的溫度和濕度。

　　在試驗(yàn)期間，噴霧時(shí)間足以使試驗(yàn)樣品充分潤(rùn)濕，而且噴霧還要在試驗(yàn)樣品濕熱條件下貯存一段時(shí)間后重復(fù)進(jìn)行。因此這種試驗(yàn)方法在某種程度上是模擬天然鹽霧環(huán)境的。

　　本試驗(yàn)與多數(shù)使用條件相比，是加速的。但是它不可能對(duì)各種不同類型的樣品具有相同的加速系數(shù)（見GB2424.10—81《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 大氣腐蝕加速試驗(yàn)的通電導(dǎo)則》）。

　　本試驗(yàn)由鹽霧和濕熱貯存二種條件組成。試驗(yàn)樣品在噴霧過程中不通電；在濕熱貯存期間，通常也不通電。 本標(biāo)準(zhǔn)等效采用標(biāo)準(zhǔn)IEC 68—2—52（1984）《試驗(yàn)Kb：交變鹽霧試驗(yàn)方法》。

二、試驗(yàn)設(shè)備

鹽霧箱（室）：鹽霧試驗(yàn)箱（室）必須用耐鹽霧腐蝕和不影響試驗(yàn)結(jié)果的材料制造。鹽霧箱（室）的結(jié)構(gòu)，包括產(chǎn)生鹽霧的方式應(yīng)能達(dá)到下述要求：

1、鹽霧箱（室）的條件應(yīng)達(dá)到規(guī)定的范圍。

2、鹽霧箱（室）應(yīng)有足夠大的容積，且保持均勻恒定的試驗(yàn)條件（不受湍流的影響），試驗(yàn)條件不因放入試驗(yàn)樣品而受影響。

3、試驗(yàn)期間鹽霧不得直接噴射到試驗(yàn)樣品上。

4、鹽霧試驗(yàn)箱（室）墻壁或其他部位積聚的液滴不得滴在試驗(yàn)樣品上。

5、為防止箱內(nèi)壓力升高并保持鹽霧分布均勻，鹽霧箱（室）內(nèi)應(yīng)有適當(dāng)?shù)呐艢饪?，并?yīng)防止排氣孔在箱（室）內(nèi)壓力升高并保持鹽霧分布均勻，鹽霧箱（室）內(nèi)應(yīng)有適當(dāng)?shù)呐艢饪?，并?yīng)防止排氣孔在箱（室）內(nèi)產(chǎn)生強(qiáng)氣流……………………